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智慧树知到《半导体技术导论》见面课答案

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智慧树知到《半导体技术导论》见面课答案

见面课:半导体器件制程工艺

1、问题:MBE只能用于III-V族化合物的生长。

选项:

A:对

B:错

答案: 【错】

2、问题:提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。

选项:

A:对

B:错

答案: 【对】

3、问题:在CMOS工艺中,最为昂贵的步骤是: ( )

选项:

A:腐蚀

B:离子注入

C:光刻

D:CVD

答案: 【光刻】

4、问题:光刻技术中的反刻工艺,通常应用于( )的情况。

选项:

A:对光刻精度较高

B:光刻图案密度较高

C:光刻的材料易于腐蚀

D:光刻的材料难以腐蚀

答案: 【光刻的材料难以腐蚀】

见面课:半导体器件及材料表征技术

1、问题:通常利用TEM观测的分辨率高于SEM。

选项:

A:对

B:错

答案: 【对】

2、问题:TEM观测与SEM相同,对样品厚度没有要求。

选项:

A:对

B:错

答案: 【错】

3、问题:AFM通常用来观测样品表面形貌。

选项:

A:对

B:错

答案: 【对】

4、问题:XPS只能检测元素种类,无法标定元素含量。

选项:

A:对

B:错

答案: 【错】

见面课:半导体器件基本结构

1、问题:异质结是由至少两种不同禁带宽度的半导体相互接触而形成的

选项:

A:对

B:错

答案: 【对】

2、问题:光电探测器的灵敏度主要取决于其禁带宽度大小

选项:

A:对

B:错

答案: 【错】

3、问题:MOS管是一种电流型半导体器件,BJT是一种电压型半导体器件

选项:

A:对

B:错

答案: 【错】

4、问题:所谓n沟道MOS管指的是它的基底是n型半导体

选项:

A:对

B:错

答案: 【错】

5、问题:平衡态下在pn结中p区和n区的费米能级是相等的

选项:

A:对

B:错

答案: 【对】

6、问题:一般说的14nm工艺线指的是MOSFET中的__达到了14nm量级

选项:

A:栅极长度

B:漏极宽度

C:栅极宽度

D:以上都不是

答案: 【栅极宽度】

7、问题:当一个NPN型BJT工作在电流放大模式下时,其_的pn结上的电压方向是反向偏置的

选项:

A:集电极到发射极

B:集电极到基极

C:基极到发射极

D:以上都不是

答案: 【集电极到基极】

8、问题:MOSFET开关的基本工作原理是通过_极电压来控制 _ 极和 __极之间的导电沟道的通断

选项:

A:栅、源、漏

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B:漏、源、栅

C:源、漏、栅

D:以上都不是

答案: 【栅、源、漏】

9、问题:金属和n型半导体接触,如果fmfs,会形成 肖特基 接触;其中 接触具有整流效应。

选项:

A:肖特基、欧姆、欧姆

B:欧姆、肖特基、肖特基

C:欧姆、肖特基、欧姆

D:肖特基、欧姆、肖特基

答案: 【欧姆、肖特基、肖特基】

见面课:半导体物理基本概念

1、问题:AlAs的禁带宽度比GaAs大,晶格常数也更大。保存

选项:

A:对

B:错

答案: 【错】

2、问题:半导体中的价带空穴电流其实就是导带电子电流的一种等价说法

选项:

A:对

B:错

答案: 【错】

3、问题:PMOS的基底是p型半导体,所以叫PMOS。

选项:

A:对

B:错

答案: 【错】

4、问题:半导体镀膜通常在真空中进行是为了减少杂质沉积的干扰。

选项:

A:对

B:错

答案: 【对】

5、问题:硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。

选项:

A:对

B:错

答案: 【错】

6、问题:GaAs晶体是_结构

选项:

A:金刚石

B:闪锌矿

C:体心

D:面心

答案: 【闪锌矿】

7、问题:有A和B两种单质晶体,我们知道A的晶格常数是5Å,带隙是1.2eV,B的晶格常数是4Å,其带隙有可能是_____eV

选项:

A:1.4

B:1.0

C:1.2

D:以上都不可能

答案: 【1.4】

8、问题:如下图所示的能带结构,代表的是___半导体________ EC―――――――― EF ________ EV

选项:

A:n型

B:p型

C:本征

D:以上都不是

答案: 【n型】

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